| 专利名称 | 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 | 申请号 | CN201110148041.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299483A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;陈微;张建心;渠红伟;付非亚 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 至集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法，其中每一单元包括如下步骤：步骤1：取一有源砷化镓外延片，该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层；步骤2：在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构；步骤3：在周期性耦合波导结构的表面和衬底的下面分别制备金属电极；步骤4：在耦合波导结构的一侧，制备一光子晶体相位调制器；步骤5：在该光子晶体相位调制器的侧面靠近周期性耦合波导结构的一侧，制备一传输波导，该传输波导为一楔形；步骤6：在该光子晶体相位调制器的表面采用干法刻蚀的方法制备多个空气孔，形成空气孔阵列，完成集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法。 |
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