| 专利名称 | 钨掺杂二氧化钒纳米粉体及其制备方法 | 申请号 | CN201010207961.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102295312A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 李明;孔凤玉;张云霞;李广海 | 主分类号 | C01G31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 钨掺杂二氧化钒纳米粉体及其制备方法 至钨掺杂二氧化钒纳米粉体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种钨掺杂二氧化钒纳米粉体及其制备方法。粉体为片状或锥棒状的钨掺杂B相二氧化钒，其化学式为V1-xWxO2，片状V1-xWxO2的片厚为1～10nm、片宽为350～450nm、片长为3～5μm，锥棒状V1-xWxO2的锥尖直径为15～25nm、锥长为110～150nm、棒直径为130～150nm、棒长为1～2μm；方法为先按照V1-xWxO2的成分比称取五氧化二钒和钨酸氨，将其熔融后保温至少20min，再将熔融体浸入淬冷介质中并搅拌至少12h后静置老化至少10d，得掺杂溶胶，之后，先将聚乙二醇水溶液加入掺杂溶胶中，并搅拌至少8h，得混合溶液，再将混合溶液置于密闭状态，于180～220℃下反应2～6d，制得钨掺杂B相二氧化钒粉体。它可用作锂离子电池电极材料；对其退火后可得到用途更广的相变金属氧化物材料-钨掺杂M相VO2。 |
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