| 专利名称 | 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法 | 申请号 | CN201110416913.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427099A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 万青;竺立强;张洪亮;吴国栋 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法 至一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，该方法在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜上制备ITO薄膜作为前电极；或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备一层ITO薄膜作为背电极。与现有的晶体硅太阳能电池的制作方法相比，本发明的方法简单易行，极大地简化了制作工艺，降低了制作成本，具有广阔的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障