| 专利名称 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 | 申请号 | CN201110401468.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427084A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;毕杨;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 至氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。 |
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