| 专利名称 | 单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法 | 申请号 | CN201110394410.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427068A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王庶民;宋禹忻 | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法 至单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用低粘滞度材料单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法，晶体模板的制作方法包括：提供具有第一晶格常数的第一晶体层；在第一晶体层上生长缓冲层；在缓冲层的熔点温度之下，在缓冲层上依序执行第二晶体层生长工艺和第一次模板层生长工艺生长第二晶体层和模板层、或者在缓冲层上直接执行第一次模板层生长工艺生长模板层；将缓冲层熔化并转化为非晶态，在高于缓冲层的玻璃化转变温度的生长温度下，在第一次模板层生长工艺中生长的模板层上执行第二次模板层生长工艺，继续生长模板层，直至模板层晶格完全弛豫。相较于现有技术，本发明具有制作简单、在同一衬底上实现多种晶格常数材料组合且位错密度低、晶体质量高等优点。 |
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