| 专利名称 | 一种相变存储器的擦写方法 | 申请号 | CN200910199256.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101699562 | 公开（授权）日 | 2010.04.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 龚岳峰;宋志棠;凌云 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16//14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器的擦写方法 至一种相变存储器的擦写方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻态转到高阻态。本发明通过累积作用实现存储器的擦写操作，一方面低脉高产生的低热量有利于材料稳定性，另一方面低脉高能够保证相变存储器在要求低编程电流(电压)环境下的应用，在不改变相变存储器器件结构的情况下，降低了器件功耗，大大节省了优化器件结构的成本。 |
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