专利名称 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法 | 申请号 | CN201110200460.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102328906A | 公开(授权)日 | 2012.01.25 | 申请(专利权)人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 徐恒泳;唐春华;孙剑;董恩宁;侯守福 | 主分类号 | C01B3/56(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B3/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法 至一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理,其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大,提纯处理的超纯氢气(H2纯度>99.9999%)返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组氢气纯化器相对较小,提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999%)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99%。当循环氢气中氯化氢含量较高时,需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅,可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量,具有明显的节能减排效应。 |
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