| 专利名称 | 一种等离子体浸没注入装置 | 申请号 | CN201010269027.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101922046A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪明刚;夏洋;李超波;刘杰;李勇滔;陈瑶;赵丽莉 | 主分类号 | C30B31/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B31/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体浸没注入装置 至一种等离子体浸没注入装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体涉及一种等离子体浸没注入装置，包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统，所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极，使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两个平行板之间的电场分布；当栅电极接地时，基片上方的偏压电场分布垂直于基片表面，平行且均匀，使得穿过栅电极的离子在电场加速下垂直注入到基片中，而不存在注入离子聚焦效应，从而可以使离子注入均匀。 |
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