| 专利名称 | 一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法 | 申请号 | CN201010230775.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102332451A | 公开（授权）日 | 2012.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法 至一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种纳米线堆叠结构，所述纳米线堆叠结构形成于第一半导体层上且由第二半导体层构成；所述纳米线堆叠结构包括至少一个纳米线组和相对的两个半导体基体，每一纳米线组包括至少两个纳米线，各所述纳米线分立，各所述纳米线包括第一端和第二端，各所述第一端和所述第二端分别接于各所述半导体基体，在同一所述纳米线组内，各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。还提供了一种纳米线堆叠结构的形成方法。利于增加集成度。 |
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