| 专利名称 | 单电子三值存储器 | 申请号 | CN02285490.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2606458 | 公开（授权）日 | 2004.03.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙劲鹏;王太宏 | 主分类号 | H01L27/00 | IPC主分类号 | H01L27/00 | 专利有效期 | 单电子三值存储器 至单电子三值存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种具有多隧穿结结构的单电 子三值存储器。该存储器有一个绝缘的基片，其上存在一导电 材料层。导电材料层中有两个多遂穿结结构、一个单电子晶体 管和一个单元存储结。两个隧穿结的一端通过引线连接在一起 作为写电压的输入端，每个隧穿结的另一端则连接一个存储 结；单元存储结处在两个存储结的中间电容耦合在一起；单电 子晶体管具有源极、漏极、与源漏极弱耦合的量子点和用来控 制量子点静电化学势能的栅极，其中的量子点通过电容耦合的 方式与单元存储结连接在一起。器件具有三个稳定的存储状 态，并且只需要控制极少电子的运动就可以实现器件的正常工 作，可以实现低功耗下的信息超高密度存储。 |
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