| 专利名称 | IGBT版图 | 申请号 | CN201120220830.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202120258U | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵佳;卢烁今;朱阳军;左小珍 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | IGBT版图 至IGBT版图 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型实施例公开了一种IGBT版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。由于本实用新型实施例中将栅极压焊点设置在中间位置，可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，距离栅极压焊点较远的元胞区也会完全有效开启。而无需借助于gatebus将栅极压焊点处的电流引入至元胞区，由于无需使用gatebus，可以节省设置gatebus的面积，因此，相比于传统的IGBT版图而言，本实用新型实施例中的IGBT版图不仅可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，同时还提高了IGBT版图的面积利用率。 |
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