| 专利名称 | 一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法 | 申请号 | CN201110279279.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102314538A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨献;闫珍珍;蒋见花;刘海南;黑勇;周玉梅 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法 至一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法，采用该方法的晶体管布局对应于双重互锁结构，该方法包括：在PMOS版图上放置4个PMOS管，且在中间两个PMOS管之间插入PMOS写入管和作为存储单元控制门的PMOS管；在NMOS版图上放置4个NMOS管，且两个中间NMOS管之间插入作为存储单元控制门的NMOS管；以及将上述所有PMOS管用一个保护环保护起来，并将上述所有NMOS管也用一个保护环保护起来。针对DICE结构的存储单元，本发明对SRAM单比特存储单元具有较好的容错能力，且具有一定抗多比特翻转的能力。 |
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