| 专利名称 | 一种大面积均匀产生等离子体的装置 | 申请号 | CN201020279388.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201766766U | 公开（授权）日 | 2011.03.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 孟月东;沈洁 | 主分类号 | H05H1/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H1/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大面积均匀产生等离子体的装置 至一种大面积均匀产生等离子体的装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种大面积均匀产生等离子体的装置，包括有内、外电极，外电极筒口处安装有密封门，外电极套在内电极外部，供气单元中有供气管道与外、内电极之间的间隙相通，射频电源匹配单元中有射频电极连接在内电极上，真空单元中有气路管道与内、外电极之间的间隙连通。本实用新型可以产生丰富的活性基团，满足刻蚀和聚合应用的需要；高频电极上存在自给偏压，能够加速离子使其具有足够高的能量以便为薄膜制备或表面处理等项目工艺所用。 |
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