| 专利名称 | 一种高灵敏度紫外探测器的制备方法 | 申请号 | CN201110279092.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315330A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 付凯;李海军;杨乐臣;刘冬;刘帆;熊敏;张宝顺 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高灵敏度紫外探测器的制备方法 至一种高灵敏度紫外探测器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法，该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构，再采用紫外透光导电材料沉积并覆盖表面柱阵列结构区域作为肖特基接触电极，对入射光信号进行筛选，提高探测的信噪比。采用本发明制备方法制造的紫外探测器，极大地增大了探测器的比表面积，从而显著提高了紫外探测器的探测灵敏度，进而促进紫外探测器系统向小型化、便携式和高灵敏兼具的目标发展；同时，该制备方法具有简化工艺，降低成本的显著特效。 |
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