| 专利名称 | 一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法 | 申请号 | CN201010223348.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315117A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李永亮;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法 至一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，适于纳米级CMOS器件中高K/金属栅的集成需要，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。 |
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