多功能集成的纳米线阵列制备方法

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专利名称 多功能集成的纳米线阵列制备方法 申请号 CN201110347856.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102358615A 公开(授权)日 2012.02.22 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 程国胜;孔涛;苏瑞巩;张琦;黄荣;刘永萍;张杰;卫芬芬 主分类号 B81C1/00(2006.01)I IPC主分类号 B81C1/00(2006.01)I 专利有效期 多功能集成的纳米线阵列制备方法 至多功能集成的纳米线阵列制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种多功能集成的纳米线阵列制备方法。该方法为:首先在纳米线阵列表面覆盖一层有机高分子溶液,真空环境下静置使有机高分子均匀渗透入纳米线之间,继而利用匀胶的方法得到平整的表面;然后使用干法去胶工艺处理表面,暴露部分纳米线阵列并对这一部分纳米线进行表面修饰;继而利用有机溶剂去除剩余有机高分子并对因此暴露出的纳米线部分做进一步修饰。本发明能够在单根纳米线表面可控、可重复且一致地集成多种功能,如发光、磁性、生物标记等,制备工艺简单,对不同类型的纳米线阵列具有普适性,适用于基因药物载体、生物/化学传感以及复合材料等新材料领域。

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