| 专利名称 | 双晶体管储存器 | 申请号 | CN201110285756.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102360564A | 公开（授权）日 | 2012.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;余涛;罗杰馨;伍青青;柴展 | 主分类号 | G11C11/40(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/40(2006.01)I | 专利有效期 | 双晶体管储存器 至双晶体管储存器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种双晶体管储存器，包括I-MOS管与MOSFET管，所述I-MOS管的栅极连接有字线，所述I-MOS管的漏极连接有第一位线，所述MOSFET管的栅极连接所述I-MOS管的源极，所述MOSFET管的漏极连接有第二位线，所述MOSFET管的源极接地。本发明中由I-MOS管与MOSFET管组成的双晶体管储存器不但具有非常快的开关速度，而且能有效避免“0”状态时GIDL电流的影响，从而提高“0”态保持时间。 |
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