| 专利名称 | 基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用 | 申请号 | CN201110191541.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102353664A | 公开（授权）日 | 2012.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;刘运宇;苗荣;穆丽璇;佘广为 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | 专利有效期 | 基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用 至基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于微米/纳米结构的荧光化学传感器领域，特别涉及一种基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用。本发明是先对基于化学刻蚀方法得到的锗的微米/纳米锥阵列进行表面等离子体处理，使其表面活化；然后再用对pH敏感的氨基荧光素化学共价修饰等离子体处理过的微米/纳米锥阵列表面，得到基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器。本发明的基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器可用于溶液及细胞内部的pH值的实时检测。 |
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