| 专利名称 | 半导体器件结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010242725.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347358A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构及其制造方法 至半导体器件结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，该半导体器件结构，包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；栅极区，形成于所述沟道区上；源/漏区，形成于所述沟道区两侧；金属塞，与所述栅极区或源/漏区接触；介质层，围绕所述金属塞形成，并且从所述金属塞的底部到顶部，所述介质层是一次成型的。本发明的实施例适用于增强器件的沟道应力，并且减少器件的寄生电容。 |
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