| 专利名称 | 三维“菊花状”的聚（3，4-二氧乙基）噻吩的纳米结构材料的制备方法 | 申请号 | CN201010243098.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102344552A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡秀杰;白晓霞;严峻;孙承华;周树云;陈萍 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | 专利有效期 | 三维“菊花状”的聚（3，4-二氧乙基）噻吩的纳米结构材料的制备方法 至三维“菊花状”的聚（3，4-二氧乙基）噻吩的纳米结构材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于导电聚合物材料领域，涉及聚噻吩类高电导率三维(3D)纳米结构材料的制备方法，特别涉及以有机溶剂、表面活性剂和水三相体系为基础的一步法制备高电导率的3D“菊花状”的聚(3，4-二氧乙基)噻吩的纳米结构材料的方法。本发明的3D“菊花状”的聚(3，4-二氧乙基)噻吩的纳米结构材料的电导率在30～140S/cm之间。本发明的方法简单、易行、可控且利于规模合成。本发明主要通过调控反应体系中去离子水与表面活性剂的摩尔比及氧化剂溶液的浓度，可以获得3D“菊花状”的聚(3，4-二氧乙基)噻吩(PEDOT)的纳米结构材料。 |
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