| 专利名称 | 一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法 | 申请号 | CN201110324597.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347267A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;狄增峰;母志强;王刚 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法 至一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。 |
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