| 专利名称 | 半导体器件结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010241036.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347234A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构及其制造方法 至半导体器件结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；嵌入所述第一绝缘层和半导体衬底形成浅沟槽隔离；嵌入所述第一绝缘层和所述半导体衬底形成条状凹槽；在所述凹槽内形成沟道区；形成所述沟道区上的栅堆叠线以及所述沟道区两侧的源/漏区。本发明的实施例适用于半导体器件的制造。 |
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