| 专利名称 | 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法 | 申请号 | CN201010235058.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339751A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 专利有效期 | 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法 至改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。 |
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