| 专利名称 | 一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010231825.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102337524A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;孙正亮;陈喜红;刘付胜聪 | 主分类号 | C23C18/31(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C18/31(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法 至一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于热电材料领域，尤其涉及一种利用液相气相辅助法制备铋基硫族化合物热电薄膜的方法。所述方法首先利用液相法制备单质铋薄膜，然后以该铋薄膜为模板，以硫族元素单质为原料之一，通过气相传输工艺制得相应的铋基硫族化合物薄膜。所述方法首次将液相法和气相法联合使用制备出高结晶度、致密度和高性能的铋基硫族化合物热电薄膜，不但克服了液相法制备的薄膜电传输性能较差，而且克服了气相法的高成本、繁琐工艺等问题。 |
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