| 专利名称 | 具有填充方钴矿晶体结构的热电材料 | 申请号 | CN201010170242.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101921928A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所 | 发明（设计）人 | J·杨;X·施;S·白;W·张;L·陈 | 主分类号 | C22C12/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 具有填充方钴矿晶体结构的热电材料 至具有填充方钴矿晶体结构的热电材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种热电材料，其包括分子式为GyM4X12的填充方钴矿晶体结构，其中i)G包括至少两种稀土元素和一种碱土元素；ii)M是钴、铑或者铱，以及iii)X是锑、磷或砷。下标“y”指的是晶体结构的填充率，其范围是约0.001至约0.5。 |
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