| 专利名称 | 光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 | 申请号 | CN201110257633.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969361A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;王玉光;董立军;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 专利有效期 | 光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 至光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、倒栅电极、栅绝缘介质层、由非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极、钝化层、穿过钝化层与源漏电极接触的驱动电极，其特征在于：钝化层的顶部还具有能高吸收紫外光的顶栅保护电极。依照本发明的TFT器件，在器件有源区顶部形成高紫外吸收的透明导电材料可以有效过滤环境、主动光源的紫外光对沟道的导电影响，提高器件长期稳定性，同时利用顶栅电极的功耗数差导致的静电势排斥背沟道的导电电荷，削弱背沟道表面损伤、缺陷对器件长期稳定性的影响。与此同时ITO顶栅电极与驱动OLED与LCD的ITO下电极共用一层Mask，无额外附加材料电极与图形化工艺。 |
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