| 专利名称 | 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201210505932.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969411A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谢海忠;张扬;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 至氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。 |
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