| 专利名称 | 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 | 申请号 | CN201210506365.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102969418A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谢海忠;张扬;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 至氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。 |
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