| 专利名称 | 半导体催化剂及其制备方法、包含半导体催化剂的催化制氢体系及其制氢方法 | 申请号 | CN201110170265.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102335618A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴骊珠;李治军 | 主分类号 | B01J27/057(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J27/057(2006.01)I;B01J27/043(2006.01)I;C01B3/04(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体催化剂及其制备方法、包含半导体催化剂的催化制氢体系及其制氢方法 至半导体催化剂及其制备方法、包含半导体催化剂的催化制氢体系及其制氢方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于光催化制氢体系的半导体催化剂，包括下述原料：硒化镉或硫化镉量子点，和钴、镍或铁的盐或配合物。本发明是由硒化镉或硫化镉量子点通过光化学方法制备高效半导体催化剂并在电子牺牲体存在下光解水制氢气的方法，可以简单快捷实现由硒化镉或硫化镉量子点通过可见光驱动光反应原位制备高效半导体催化剂并在电子牺牲体存在下光解水制氢气。产氢速率分别可达40μmol·h-1·mg-1(CdSe)和25μmol·h-1·mg-1(CdS)。本方法无需模板和煅烧等苛刻条件，也不需要铂、铑等贵金属材料就可以在光照下自组装生成空腔结构形貌的高效、稳定、廉价、合成简单的半导体催化光解水制氢催化剂，本发明制备的催化剂可重复使用。 |
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