专利名称 | 一种无机质子导电膜的制备方法 | 申请号 | CN201210477098.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102943247A | 公开(授权)日 | 2013.02.27 | 申请(专利权)人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明(设计)人 | 万青;郭立强;竺立强;周菊枚;张洪亮;吴国栋 | 主分类号 | C23C16/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无机质子导电膜的制备方法 至一种无机质子导电膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法,包括:采用化学气相沉积技术,将反应源通入沉积体系中,通过调节工艺参数,在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜,及用所述导电膜制成的制品。本发明原材料来源丰富、价格便宜;制备工艺与现有设备相容,适于大面积连续生产;前景广阔、用途广泛,可在薄膜晶体管、聚合物电解质膜燃料电池、电化学传感器、水/蒸汽电解、生物系统等领域得到广泛应用。 |
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