一种无机质子导电膜的制备方法

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专利名称 一种无机质子导电膜的制备方法 申请号 CN201210477098.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102943247A 公开(授权)日 2013.02.27 申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 万青;郭立强;竺立强;周菊枚;张洪亮;吴国栋 主分类号 C23C16/08(2006.01)I IPC主分类号 C23C16/08(2006.01)I 专利有效期 一种无机质子导电膜的制备方法 至一种无机质子导电膜的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法,包括:采用化学气相沉积技术,将反应源通入沉积体系中,通过调节工艺参数,在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜,及用所述导电膜制成的制品。本发明原材料来源丰富、价格便宜;制备工艺与现有设备相容,适于大面积连续生产;前景广阔、用途广泛,可在薄膜晶体管、聚合物电解质膜燃料电池、电化学传感器、水/蒸汽电解、生物系统等领域得到广泛应用。

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