| 专利名称 | 一种SOI基三维交叉波导及其制作方法 | 申请号 | CN201210480462.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102944912A | 公开（授权）日 | 2013.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邢界江;李智勇;肖希;储涛;俞育德;余金中 | 主分类号 | G02B6/122(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI基三维交叉波导及其制作方法 至一种SOI基三维交叉波导及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI基三维交叉波导及其制作方法，利用低温键合技术，在第一层SOI波导上制作多层高折射率波导，且第一路SOI波导的输入、输出部分分别和其上各层波导间构成高效的光学上行、下行耦合结构，顶层波导与第一层波导的第二路或更多路SOI波导构成三维交叉结构。这种由多层波导级联构成的三维交叉结构中，相邻层波导的间隙较小，光学上下耦合效率很高；顶层波导与第一层波导在垂直方向有足够厚的低折射率介质隔离，交叉损耗和串扰很小。另外，采用波导宽度绝热锥形渐变耦合的光学上下耦合结构，带宽和工艺容差大。 |
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