| 专利名称 | 一种在氧化物基底上原位生长铋纳米粒子的方法 | 申请号 | CN201210564993.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102990077A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李英宣;王传义 | 主分类号 | B22F9/20(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F9/20(2006.01)I;C23C20/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在氧化物基底上原位生长铋纳米粒子的方法 至一种在氧化物基底上原位生长铋纳米粒子的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在氧化物基底上原位生长铋纳米粒子的方法，该方法将采用熔盐法或高温固相法制备的含铋氧化物加入到甲醇、乙醇或葡萄糖的水溶液中，在紫外光的照射下，在含铋氧化物的表面形成粒径分比较布均匀的铋纳米粒子。本发明具有制备条件温和、工艺简单、成本低等优点，制备的铋纳米粒子的特点在于粒径较小，附着在氧化物基底上，通过本发明所述方法获得的在氧化物基底上原位生长铋纳米粒子可用于纳米电子领域、催化领域及超导材料等，该方法工艺简单、在室温下通过光照就能实现铋金属纳米粒子在氧化物表面的原位均匀生长。 |
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