| 专利名称 | 一种自支撑多层微纳米结构的制备方法 | 申请号 | CN201210540029.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102976264A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;崔阿娟;李无瑕;刘哲 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种自支撑多层微纳米结构的制备方法 至一种自支撑多层微纳米结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种自支撑多层微纳米结构的制备方法，其包括步骤：平整衬底的选取与清洗；在平整衬底上生长多层膜结构，形成多层膜基底；在多层膜基底上制备自支撑母体纳米结构，形成多层膜基底自支撑母体纳米结构体系；对多层膜基底自支撑母体纳米结构体系进行离子束干法刻蚀，获得自支撑多层微纳米结构；对自支撑多层微纳米结构进行热退火处理；得到自支撑多层微纳米结构成品。本发明的制备方法是基于干法刻蚀中多层膜基底材料的再沉积现象使多层膜基底上自支撑纳米结构包裹一层基底材料的现象来制备不位于多层膜基底平面内的自支撑多层微纳米结构，具有工艺简单、易行、低成本、灵活性好、可控性高、大面积加工以及可制备的结构材料广泛的特点。 |
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