| 专利名称 | 用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器 | 申请号 | CN02257077.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2570984 | 公开（授权）日 | 2003.09.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙劲鹏;王太宏 | 主分类号 | H01L27/00 | IPC主分类号 | H01L27/00;H01L21/82 | 专利有效期 | 用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器 至用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及用碳纳米管晶体管设计的高集 成度单电子存储器，包括：以硅作为衬底，其上氧化形成一个 二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个垂直结构的碳纳米管 晶体管，还包括在二氧化硅绝缘层上有一根单壁碳纳米管，在 其两侧制备出源极和漏极并与碳纳米管发生欧姆接触；在该碳 纳米管的上方制备出栅极绝缘层，其上设置该碳纳米管晶体管 的栅极；栅极一侧的栅极绝缘层上设置一条存储器的字线，字 线和栅极通过一根金属性碳纳米管连接在一起，此碳纳米管上 制备出至少两个隧穿结。该方法制备出的量子点可以在室温下 出现库仑阻塞现象，因此本实用新型的器件可在室温下工作， 通过测量碳纳米管晶体管的漏极电流可以实现存储器数据的 读出。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障