| 专利名称 | 用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器 | 申请号 | CN02244310.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2567781 | 公开（授权）日 | 2003.08.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙劲鹏;王太宏 | 主分类号 | H01L27/12 | IPC主分类号 | H01L27/12;H01L21/84 | 专利有效期 | 用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器 至用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种用碳纳米管单电子晶体管 和碳纳米管晶体管设计的存储器。该器件包括：以SOI为衬底， 表面有一单晶硅层；在表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管 结构，它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一 个栅极，一根单壁碳纳米管设置在两个电极上形成欧姆接触， 其中栅极处在源、漏两个电极的中间，碳纳米管的一侧；另一 根具有2个以上隧穿结结构的碳纳米管设置在栅极和碳纳米管 晶体管的源或漏极的电极上形成欧姆接触。该器件制备方法易 于操做。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正 常工作，并且不受随机背景电荷的影响；同时，器件每一个存 储单元只具有两个电极引线，容易实现器件的高度集成和实现 低功耗下信息的超高密度存储。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障