| 专利名称 | 具有碳纳米管结构的随机存储器 | 申请号 | CN02239613.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2566463 | 公开（授权）日 | 2003.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 赵继刚;王太宏 | 主分类号 | H01L27/04 | IPC主分类号 | H01L27/04 | 专利有效期 | 具有碳纳米管结构的随机存储器 至具有碳纳米管结构的随机存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种具有碳纳米管结构的随机 存储器，包括以Si作为衬底，该衬底上有SiO2绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；栅极位于Si衬底上SiO2绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Al及经表面氧化形成的Al2O3绝缘层，栅极并与一电阻相连接，该电阻与恒压源相连接；两电极平行于栅极在栅极两侧，位于碳纳米管之上或之下，其第二电极还带有一条方向与栅极垂直的一段，该段与栅极相接触，其中第一电极接地，第二电极与开关相连接，同时栅极与第二电极在衬底上短路相连；一根碳纳米管垂直于栅极和两个独立的电极，平直放置在SiO2绝缘层的表面上，并与Al2O3绝缘层表面和电极表面相接触。该存储器容量为1bit的信息存储，且结构简单，易于制作和集成。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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4、专员跟进，交易保障