| 专利名称 | 可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器 | 申请号 | CN02240126.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2566464 | 公开（授权）日 | 2003.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙劲鹏;王太宏 | 主分类号 | H01L27/04 | IPC主分类号 | H01L27/04;H01L27/10 | 专利有效期 | 可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器 至可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及具有高集成度的单电子存储器， 包括：以硅作为衬底，其表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在其 上设置栅极、电极和数据线引脚；其中两个电极、一个栅极和 数据线引脚，是由位于二氧化硅绝缘层上的导电层形成的；两 个电极具有间距；一碳纳米管在两个电极之上，与两个电极欧 姆接触；栅极位于两个电极的一侧；并在衬底的另一边设置数 据线引脚；另一根碳纳米管在栅极和数据线引脚之上，并与两 者欧姆接触；碳纳米管上有两个隧穿结，二者之间形成碳纳米 管上的一个量子点。该方法制备出的量子点可以在室温下出现 库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管 晶体管的电流可以实现存储器数据的读出。 |
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