| 专利名称 | 可在室温下工作的单电子存储器 | 申请号 | CN02240127.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2562370 | 公开（授权）日 | 2003.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙劲鹏;王太宏 | 主分类号 | H01L27/04 | IPC主分类号 | H01L27/04;H01L27/10 | 专利有效期 | 可在室温下工作的单电子存储器 至可在室温下工作的单电子存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种可在室温下工作的单电子 存储器，该器件包括：硅衬底，其表面是一层二氧化硅绝缘层， 在其上制备出具有分裂栅结构的场效应晶体管和电极；还包括 具有量子点结构的单壁碳纳米管；所述的场效应晶体管的分裂 栅由一个中心栅和位于中心栅两侧，平行排列的两个外栅组 成，并且由位于二氧化硅绝缘层之上的导电材料层形成；在外 栅和中心栅下方对应的硅衬底中，通过掺杂形成p型导电沟道， 导电沟道两侧是经重掺杂分别形成的一个n型的源极和一个漏 极；所述的电极与分裂栅方向垂直设置；碳纳米管的两端分别 与中心栅和电极相接触。它具有分裂栅结构，降低了工作时需 要的电子数目，本实用新型单电子存储器可以在室温下实现信 息低功耗超高密度存储。 |
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