| 专利名称 | 隧道效应磁电阻器件 | 申请号 | CN02235853.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN2556792 | 公开（授权）日 | 2003.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 赵柏儒;蔡纯;龚伟志;许波;张福昌 | 主分类号 | H01L43/08 | IPC主分类号 | H01L43/08 | 专利有效期 | 隧道效应磁电阻器件 至隧道效应磁电阻器件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种隧道效应磁电阻器件。它包 括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层 位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层 之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈 条状，两端是引线引出端；底电极层之上是呈方块状的势垒层 和顶电极层，顶电极层的顶部是引线引出端；在势垒层和顶电极层的周围是SiO2隔离层；从底电极层和顶电极层的引线引出端各引出一根或各引出两根导线。借助于隧道效应，电流穿过绝缘的势垒层，从一电极层流向另一电极层，并表现出磁电阻效应，在600 Oe的磁场范围内隧道结的电阻变化率达到28％。由于钉扎层的引入，器件对外磁场的响应特性和稳定性得以明显改善。 |
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