| 专利名称 | 硫系化合物相变材料抛光后清洗液 | 申请号 | CN201010281508.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101935596A | 公开（授权）日 | 2011.01.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王良咏;宋志棠;刘卫丽;刘波;钟旻;封松林 | 主分类号 | C11D1/86(2006.01)I | IPC主分类号 | C11D1/86(2006.01)I;C11D1/62(2006.01)I;C11D1/72(2006.01)I;C11D1/04(2006.01)I;C11D3/04(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I;C11D3/60(2006.01)I | 专利有效期 | 硫系化合物相变材料抛光后清洗液 至硫系化合物相变材料抛光后清洗液 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。 |
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