| 专利名称 | 基于可逆电致电阻效应的逻辑器件 | 申请号 | CN201110305257.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856488A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 韩秀峰;李大来;刘东屏 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | 专利有效期 | 基于可逆电致电阻效应的逻辑器件 至基于可逆电致电阻效应的逻辑器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在双输入的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。 |
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