| 专利名称 | 用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法 | 申请号 | CN201110071308.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102185018A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张姗;胡晓宁;廖洋;于晓明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;G02B1/11(2006.01)I | 专利有效期 | 用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法 至用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用飞秒激光超精细“冷”加工技术直接在硅衬底表面制备增透膜。通过选择合适的工作环境，调节飞秒激光平均功率、激光扫描速度等参数控制微结构的形貌，减小衬底表面对入射光的反射，实现在红外波段的增透目的。增透膜为衬底材料在飞秒激光作用下发生再构形成，与衬底具有很好的热匹配，可靠性高。增透膜制备所用的飞秒激光“冷”加工方法操作简单，具有加工精度高、热效应小的优点，特别适用于碲镉汞器件的加工工艺。 |
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