| 专利名称 | 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 | 申请号 | CN201110175527.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856352A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱阳军;田晓丽;卢烁今;吴振兴 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 至绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法。该所述终端保护结构包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管终端，在主结与截止环之间设置有分压沟槽，所述分压沟槽截断主结曲面的结弯曲，消除电场集中，提高击穿电压。同时由于分压沟槽以沟槽的形式存在于漂移区内，因此，这种结构相比场限环结构来说，可大大减小终端保护结构的面积，进而可减小芯片的总面积，降低芯片的制造成本。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障