| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110165239.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842595A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;李春龙;赵超;李俊峰 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底、形成在衬底上的绝缘隔离层、形成在所述绝缘隔离层中的第一有源区层和第二有源区层，其特征在于，所述第一有源区层和/或第二有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，本发明先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。 |
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