| 专利名称 | 沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201110168499.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102842604A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵佳;朱阳军;卢烁今;孙宝刚;左小珍 | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 至沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。 |
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