| 专利名称 | 电容式超声传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201110037201.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102178545A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 俞挺;于峰崎 | 主分类号 | A61B8/00(2006.01)I | IPC主分类号 | A61B8/00(2006.01)I | 专利有效期 | 电容式超声传感器及其制备方法 至电容式超声传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电容式超声传感器，包括掺杂硅衬底、固定在掺杂硅衬底上的第一电极层以及间隔设置在第一电极层上的第二电极层；第一电极层包括固定在掺杂硅衬底上的绝缘层、固定在绝缘层外沿的侧边电极以及固定在绝缘层中间的中间电极，侧边电极与中间电极通过绝缘层隔开；第二电极层通过绝缘层与侧边电极和中间电极隔开，绝缘层、侧边电极、中间电极以及第二电极层围成作为电容极板间隙的空腔。这种电容式微加工超声传感器的第一电极层采用包括侧边电极和中间电极的双层电极结构，相对于传统的单层电极结构，灵敏度高，发射和接收超声性能均得到提高。本发明还提供一种上述电容式超声传感器的制备方法。 |
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