| 专利名称 | 一种氮化镓基场效应管及其制作方法 | 申请号 | CN200610127867.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101150144 | 公开（授权）日 | 2008.03.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;刘果果;郑英奎;李诚瞻;刘键 | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化镓基场效应管及其制作方法 至一种氮化镓基场效应管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极， 位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层 AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通 过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻 蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有 AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或 Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用 本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅 反向漏电增大的问题。 |
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