| 专利名称 | 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201110115383.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102185052A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 至调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层；步骤3：在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层，以硅烷作为n型掺杂剂；步骤4：在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层；步骤5：采用刻蚀的方法，在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中，使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面；步骤6：在n型接触层的台面上制作负电极；在p型接触层的上面制作正电极，完成氮化镓系发光二极管的制作。 |
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