| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110182573.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856206A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠；在所述衬底上形成源/漏区和源/漏外延区，所述源/漏外延区与源/漏区相连，且其长度大于所述源/漏区的长度，所述长度为平行于沟道长度的方向上的距离；形成覆盖所述栅极堆叠、所述源/漏区和所述源/漏外延区的层间介质层；在所述源/漏外延区上形成接触塞。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过增加源/漏外延区，并将接触塞置于源/漏外延区之上，有效减小了源/漏区面积，进而减小了整个半导体器件的面积。 |
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