| 专利名称 | IGBT器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110175526.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856192A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙宝刚;吴振兴;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;左小珍 | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | IGBT器件及其制作方法 至IGBT器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到所述栅区下方的沟道区，并且所述掺杂区的深度小于所述阱区的深度，大于所述源区的深度，掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。本发明实施例在器件的阱区内形成的是高掺杂浓度的浅结，降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。 |
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